سامسونگ به طور رسمی اعلام کرده که شروع به ساخت و تولید انبود حافظه های فلش با نام شناخته شده  3D Vertical NAND (V-NAND) .

به گزارش سخت افزارچی این معماری که با نام 3D Vertical NAND است از تکنولوزی سه بهدی برای ذخیره سازی استفاده می کند به این صورت که اطلاعات علاوه بر اینکه بروی ستون ها در کنار یکدیگر قرا می گیرند بلکه بر روی هم هم انباشته می شوند که خود باعث افزایش فضای ذخیره سازی می شود..

سامسونگ مدعی است که با V-NAND توانسته دو تا ده برابر قابلیت اطمینان این نوع فلش را نسبت به NAND سنتی بدست آورد بلکه زمان نوشتن را روی این حافظه دو برابر در حالت شناور کرده است.

تراشه های ذخیره سازی برای اولین بار با استفاده از این تکنولوژی در ظرفیت 16 گیگابایت در دسترس خواهد بود گرچه تا 24 لایه می تونه روی هم قرار بگیره .